半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2017.12.26)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：腐蝕停止目的：為了精確控制腐蝕深度.P++腐蝕停止技術(shù)（形成重?fù)诫sB層）：Si的濕法腐蝕速率在B摻雜濃度<1×10
參考答案：表面反射——穿過光刻膠的光會從晶圓片表面反射出來，從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...
參考答案：簡述其工作原理。淀積速率與蒸發(fā)材料溫度腔體形狀等因素有關(guān)。淀積速率通常用石英晶體速率指示儀測量。所用器件為一個諧振板，它...
參考答案：無定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差，&p...
參考答案：可動離子電荷Qm來源：主要來源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程...
參考答案：涂膠→前烘→對準(zhǔn)與曝光→曝光后烘烤→顯影→堅(jiān)膜→顯影檢查
參考答案：反應(yīng)室類型熱壁：反應(yīng)室腔壁與硅片及支撐件同時加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應(yīng)腔溫度和均勻性。適合對溫度控制要求苛刻...
參考答案：寄生電阻和寄生電容造成的延遲。電子在導(dǎo)電過程中會撞擊導(dǎo)體中的離子，將動量轉(zhuǎn)移給離子從而推動離子發(fā)生緩慢移動。該現(xiàn)象稱為電...
參考答案：在多晶硅薄膜中進(jìn)行雜質(zhì)擴(kuò)散的擴(kuò)散方式與單晶硅中的方式是不同的，因?yàn)槎嗑Ч柚杏芯Яｉg界存在，所以雜質(zhì)原子主要沿著晶粒間界進(jìn)...