半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.05.04)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題根據(jù)曝光方式的不同，光學(xué)光刻機(jī)可以分成幾類？各有什么優(yōu)缺點？

參考答案：根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機(jī)主要分為三種：接觸式，接近式，投影式。接觸式：接觸式光刻機(jī)是最簡單的光刻機(jī)，曝光時，掩模壓在涂...

2.問答題 以P₂O₂為例說明SiO₂的掩蔽過程。

參考答案：以P₂O₂雜質(zhì)源為例來說明SiO₂的掩蔽過程：當(dāng)P

3.問答題什么是光刻中常見的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？

參考答案：表面反射——穿過光刻膠的光會從晶圓片表面反射出來，從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...

4.問答題簡述APCVD、LPCVD、PECVD的特點。

參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進(jìn)行的，由于反應(yīng)速率快，CVD系統(tǒng)簡單，適于較厚的...

5.問答題應(yīng)力分為壓應(yīng)力和張應(yīng)力，下圖的形狀是由于哪種應(yīng)力產(chǎn)生的？請在圖上標(biāo)出應(yīng)力的方向。如果要讓上面的結(jié)構(gòu)材料變得平整，要怎么做？

參考答案：張應(yīng)力（張的時候產(chǎn)生的應(yīng)力）與壓應(yīng)力（壓的時候產(chǎn)生的應(yīng)力）
在張應(yīng)力作用下，薄膜會相對襯底進(jìn)行...

6.問答題雜質(zhì)原子的擴(kuò)散方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子擴(kuò)散的角度舉例說明氧化增強(qiáng)擴(kuò)散和氧化阻滯擴(kuò)散的機(jī)理。

參考答案：①交換式：兩相鄰原子由于有足夠高的能量，互相交換位置。②空位式：由于有晶格空位，相鄰原子能移動過來。③填隙式：在空隙中的...

7.問答題簡述雜質(zhì)在SiO₂的存在形式及如何調(diào)節(jié)SiO₂的物理性質(zhì)。

參考答案：熱氧化層中可能存在各種雜質(zhì)，某些最常見的雜質(zhì)是與水有關(guān)的化合物，其結(jié)構(gòu)如圖所示。如果氧化層在生長中有水存在，一種可能發(fā)生...

8.問答題畫出側(cè)墻轉(zhuǎn)移工藝和self-aligned double patterning（SADP）的工藝流程圖。

9.問答題MEMSSi加工工藝主要分為哪兩類，它們最基本的區(qū)別是什么？

參考答案：Si工藝體硅微機(jī)械加工工藝（Bulkmicromaching）——用晶圓自身材料來制作MEM...

10.問答題假設(shè)進(jìn)行一次受固溶度限制的預(yù)淀積擴(kuò)散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm^-2。

參考答案：（1）如果這次預(yù)淀積進(jìn)行了總共t分鐘，若預(yù)淀積溫度不變，引入3Qcm^-2