半導體芯片制造工半導體制造技術(shù)章節(jié)練習(2018.09.30)

來源：考試資料網(wǎng)

1.問答題采用無定形掩膜的情況下進行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標準偏差寫出表達式。

參考答案：無定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標準偏差，&p...

2.問答題 采用CF₄作為氣體源對SiO₂進行刻蝕，在進氣中分別加入O₂或H₂對刻蝕速率有什么影響？隨著O₂或H₂進氣量的增加，對Si和SiO₂刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

參考答案：加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO₂的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導致Si和SiO₂

3.問答題簡述BOE（或BHF）刻蝕SiO₂的原理。

參考答案：二氧化硅腐蝕最常見的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進行的SiO₂濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...

4.問答題雜質(zhì)原子的擴散方式有哪幾種？它們各自發(fā)生的條件是什么？從原子擴散的角度舉例說明氧化增強擴散和氧化阻滯擴散的機理。

參考答案：①交換式：兩相鄰原子由于有足夠高的能量，互相交換位置。②空位式：由于有晶格空位，相鄰原子能移動過來。③填隙式：在空隙中的...

5.問答題集成電路制造中有哪幾種常見的擴散工藝？各有什么優(yōu)缺點？

參考答案：擴散工藝分類：按原始雜質(zhì)源在室溫下的相態(tài)分類，可分為固態(tài)源擴散，液態(tài)源擴散和氣態(tài)源擴散。固態(tài)源擴散（1）.開管擴散...

6.問答題簡述常規(guī)熱氧化辦法制備SiO₂介質(zhì)薄膜的動力學過程，并說明在什么情況下氧化過程由反應控制或擴散控制。

參考答案：迪爾-格羅夫氧化模型可以很好地預測氧化層厚度，熱氧化過程主要分為以下三個過程：（1）氧化劑從氣體內(nèi)部以擴散形式穿過滯留層...

7.問答題簡述APCVD、LPCVD、PECVD的特點。

參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進行的，由于反應速率快，CVD系統(tǒng)簡單，適于較厚的...

8.問答題CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會支配整個淀積速率？

參考答案：CVD過程包括兩個部分：一、反應劑在邊界層中的輸運二、反應劑在襯底表面的化學反應存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...

9.問答題影響外延薄膜的生長速度的因素有哪些？

參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長速率對溫度的變化不敏感，生長速率由氣相質(zhì)量輸運控制，并且對反應室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...

10.問答題射頻放電與直流放電相比有何優(yōu)點？

參考答案：直流放電中，電荷在表面的積聚會使電場減小，直到等離子體消失。在射頻電場中，因為電場周期性地改變方向，帶電粒子不容易到達電...