半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2019.04.30)

來(lái)源：考試資料網(wǎng)

1.問(wèn)答題什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問(wèn)題？

參考答案：固相外延是指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點(diǎn)或共晶點(diǎn)溫度下外延再結(jié)晶的過(guò)程。固相外延存在問(wèn)題—&mda...

2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在熱氧化過(guò)程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

參考答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO

3.問(wèn)答題什么是擴(kuò)散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個(gè)效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？

參考答案：擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長(zhǎng)時(shí)互相擴(kuò)散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對(duì)界...

4.問(wèn)答題熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

參考答案：離子注入后會(huì)對(duì)晶格造成簡(jiǎn)單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴(kuò)散系數(shù)...

5.問(wèn)答題假設(shè)進(jìn)行一次受固溶度限制的預(yù)淀積擴(kuò)散，從摻雜玻璃源引入的雜質(zhì)總劑量為Qcm^-2。

參考答案：（1）如果這次預(yù)淀積進(jìn)行了總共t分鐘，若預(yù)淀積溫度不變，引入3Qcm^-2

6.問(wèn)答題說(shuō)明SiO₂的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡(jiǎn)述結(jié)晶型SiO₂和無(wú)定形SiO₂的區(qū)別。

參考答案：結(jié)晶形SiO₂——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構(gòu)成每個(gè)頂角的O原子與兩個(gè)...

7.問(wèn)答題什么是光刻中常見(jiàn)的表面反射和駐波效應(yīng)？如何解決？

參考答案：表面反射——穿過(guò)光刻膠的光會(huì)從晶圓片表面反射出來(lái)，從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...

8.問(wèn)答題下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請(qǐng)分別寫出a-g各段的名稱?？捎米靼雽?dǎo)體制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。

參考答案：ab段為無(wú)光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點(diǎn)為放電的著火點(diǎn)，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放...

9.問(wèn)答題 Si-SiO₂界面電荷有哪幾種？簡(jiǎn)述其來(lái)源及處理辦法。

參考答案：可動(dòng)離子電荷Q_m來(lái)源：主要來(lái)源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過(guò)程...

10.問(wèn)答題采用無(wú)定形掩膜的情況下進(jìn)行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達(dá)式。

參考答案：無(wú)定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差，&p...