半導體芯片制造工半導體制造技術章節(jié)練習(2019.05.13)

來源：考試資料網

1.問答題說明影響氧化速率的因素。

參考答案：1）氧化劑分壓因為平衡情況下，SiO₂中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D

2.問答題射頻放電與直流放電相比有何優(yōu)點？

參考答案：直流放電中，電荷在表面的積聚會使電場減小，直到等離子體消失。在射頻電場中，因為電場周期性地改變方向，帶電粒子不容易到達電...

3.問答題簡述雜質在SiO₂的存在形式及如何調節(jié)SiO₂的物理性質。

參考答案：熱氧化層中可能存在各種雜質，某些最常見的雜質是與水有關的化合物，其結構如圖所示。如果氧化層在生長中有水存在，一種可能發(fā)生...

4.問答題簡述APCVD、LPCVD、PECVD的特點。

參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進行的，由于反應速率快，CVD系統(tǒng)簡單，適于較厚的...

5.問答題假設進行一次受固溶度限制的預淀積擴散，從摻雜玻璃源引入的雜質總劑量為Qcm^-2。

參考答案：（1）如果這次預淀積進行了總共t分鐘，若預淀積溫度不變，引入3Qcm^-2

6.問答題根據(jù)曝光方式的不同，光學光刻機可以分成幾類？各有什么優(yōu)缺點？

參考答案：根據(jù)曝光方式不同光學光刻機主要分為三種：接觸式，接近式，投影式。接觸式：接觸式光刻機是最簡單的光刻機，曝光時，掩模壓在涂...

7.問答題根據(jù)原理分類，干法刻蝕分成幾種？各有什么特點？

參考答案：干法刻蝕是采用等離子體進行刻蝕的技術，根據(jù)原理分為濺射與離子銑（物理）、等離子刻蝕（化學）、反應離子刻蝕（物理+化學）。...

8.問答題物理氣相淀積最基本的兩種方法是什么？簡述這兩種方法制備薄膜的過程。

參考答案：物理氣相淀積：蒸發(fā)Evaporation、濺射Sputtering熱蒸發(fā)法：在真空條件下，加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)...

9.問答題簡述RTP設備的工作原理，相對于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢？

參考答案：RTP工藝是一類單片熱處理工藝，其目的是通過縮短熱處理時間和溫度或只縮短熱處理時間來獲得最小的工藝熱預算（Thermal...

10.問答題簡述BOE（或BHF）刻蝕SiO₂的原理。

參考答案：二氧化硅腐蝕最常見的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進行的SiO₂濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...