半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2018.09.25)

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1.問(wèn)答題簡(jiǎn)述在熱氧化過(guò)程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

參考答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO

2.問(wèn)答題什么是濺射產(chǎn)額，其影響因素有哪些？簡(jiǎn)述這些因素對(duì)濺射產(chǎn)額產(chǎn)生的影響。

參考答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過(guò)一定能量（濺射閾值）時(shí)，才能發(fā)生濺...

3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述APCVD、LPCVD、PECVD的特點(diǎn)。

參考答案：APCVD——一些最早的CVD工藝是在大氣壓下進(jìn)行的，由于反應(yīng)速率快，CVD系統(tǒng)簡(jiǎn)單，適于較厚的...

4.問(wèn)答題說(shuō)明SiO₂的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，并簡(jiǎn)述結(jié)晶型SiO₂和無(wú)定形SiO₂的區(qū)別。

參考答案：結(jié)晶形SiO₂——由Si-O四面體在空間規(guī)則排列構(gòu)成每個(gè)頂角的O原子與兩個(gè)...

5.問(wèn)答題 下圖是硅烷反應(yīng)淀積多晶硅的過(guò)程，寫(xiě)出發(fā)生反應(yīng)的方程式，并簡(jiǎn)述其中1～5各步的含義。

參考答案：（1）反應(yīng)氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運(yùn)；
（2）這些氣體反應(yīng)生成系列次生分子；
（3）這些反應(yīng)物輸...

6.問(wèn)答題什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在的問(wèn)題？

參考答案：固相外延是指半導(dǎo)體單晶上的非晶層在低于該材料的熔點(diǎn)或共晶點(diǎn)溫度下外延再結(jié)晶的過(guò)程。固相外延存在問(wèn)題—&mda...

7.問(wèn)答題下圖為直流等離子放電的I-V曲線，請(qǐng)分別寫(xiě)出a-g各段的名稱(chēng)。可用作半導(dǎo)體制造工藝中離子轟擊的是其中哪一段？試解釋其工作原理。

參考答案：ab段為無(wú)光放電區(qū)；bc段為湯生放電；c點(diǎn)為放電的著火點(diǎn)，cd段為前期輝光放電；de段為正常輝光放電區(qū)ef段為反常輝光放...

8.問(wèn)答題簡(jiǎn)述BOE（或BHF）刻蝕SiO₂的原理。

參考答案：二氧化硅腐蝕最常見(jiàn)的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進(jìn)行的SiO₂濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...

9.問(wèn)答題在光刻中，能夠在增加分辨率的同時(shí)增加聚焦深度嗎？為什么？

參考答案：不能！聚焦深度：在保持圖形聚焦的前提下，沿著光路方向晶圓片移動(dòng)的距離是聚焦深度——
，...

10.問(wèn)答題 下圖為一個(gè)典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標(biāo)識(shí)部分的名稱(chēng)，簡(jiǎn)述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。

參考答案：1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用：產(chǎn)生注入用的離子原理...