半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2020.03.15)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題定義刻蝕速率并描述它的計(jì)算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
2.問(wèn)答題簡(jiǎn)述BOE（或BHF）刻蝕SiO2的原理。
參考答案：二氧化硅腐蝕最常見(jiàn)的濕法腐蝕工藝之一是在稀釋的HF溶劑中進(jìn)行的SiO2濕法腐蝕法。常用腐蝕液配比是...
3.問(wèn)答題什么是薄膜？
參考答案：薄膜：指某一維尺寸遠(yuǎn)小于另外兩維上的尺寸的固體物質(zhì)。
好的臺(tái)階覆蓋能力 、高的深寬比填隙能力（>3：...
好的臺(tái)階覆蓋能力 、高的深寬比填隙能力（>3：...
參考答案：濺射產(chǎn)額：影響因素：離子質(zhì)量、離子能量、靶原子質(zhì)量、靶的結(jié)晶性只有當(dāng)入射離子的能量超過(guò)一定能量（濺射閾值）時(shí)，才能發(fā)生濺...
5.問(wèn)答題
Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡(jiǎn)述其來(lái)源及處理辦法。
參考答案：可動(dòng)離子電荷Qm來(lái)源：主要來(lái)源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過(guò)程...
參考答案：無(wú)源元件：在不需要外加電源的條件下，就可以顯示其特性的電子元件。這些元件無(wú)論如何和電源相連，都可以傳輸電流。如電阻，電容...
8.問(wèn)答題離子在靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？?jī)煞N阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系？
參考答案：①碰撞注入離子與靶內(nèi)原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質(zhì)量一般為同一數(shù)量級(jí)，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...
9.問(wèn)答題在光刻中，能夠在增加分辨率的同時(shí)增加聚焦深度嗎？為什么？
10.問(wèn)答題例舉出7種先進(jìn)封裝技術(shù)。
