半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)章節(jié)練習(xí)(2018.01.12)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題分別畫出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。
2.問(wèn)答題影響外延薄膜的生長(zhǎng)速度的因素有哪些?
參考答案:1)溫度高溫區(qū)B區(qū),生長(zhǎng)速率對(duì)溫度的變化不敏感,生長(zhǎng)速率由氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制,并且對(duì)反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...
3.問(wèn)答題說(shuō)明影響氧化速率的因素。
4.問(wèn)答題在光刻中,能夠在增加分辨率的同時(shí)增加聚焦深度嗎?為什么?
5.問(wèn)答題
Si-SiO2界面電荷有哪幾種?簡(jiǎn)述其來(lái)源及處理辦法。
參考答案:可動(dòng)離子電荷Qm來(lái)源:主要來(lái)源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法:為了降低Na+的玷污,可以在工藝過(guò)程...
6.問(wèn)答題熱退火用于消除離子注入造成的損傷,溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度,然而,雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象,解釋其原因。
參考答案:離子注入后會(huì)對(duì)晶格造成簡(jiǎn)單晶格損傷和非晶層形成;損傷晶體空位密度大于非損傷晶體,且存在大量間隙原子和其他缺陷,使擴(kuò)散系數(shù)...
參考答案:擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì),在外延生長(zhǎng)時(shí)互相擴(kuò)散,引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對(duì)界...
參考答案:根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機(jī)主要分為三種:接觸式,接近式,投影式。接觸式:接觸式光刻機(jī)是最簡(jiǎn)單的光刻機(jī),曝光時(shí),掩模壓在涂...
9.問(wèn)答題簡(jiǎn)述電子束光刻的光柵掃描方法和矢量掃描方法有何區(qū)別。
參考答案:在光柵掃描方法中,每一個(gè)像素必須被逐次掃描。這樣,曝光時(shí)間幾乎與圖形無(wú)關(guān),圖形就是通過(guò)打開和關(guān)閉快門寫出來(lái)的。而已經(jīng)開發(fā)...
參考答案:光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測(cè)等離子體中某種波長(zhǎng)的光線強(qiáng)度變化來(lái)達(dá)到終點(diǎn)檢測(cè)的目的。光強(qiáng)的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...
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